Optimización de tiempo muerto para la máxima eficiencia
En este documento blanco, EPC continúa nuestra exploración de los problemas de optimización y analice el impacto del tiempo muerto en la eficiencia del sistema para FET y MOSFET EGAN®.
Los artículos publicados anteriormente mostraron que los FET de Egan se comportan de manera similar a los dispositivos de silicio y pueden evaluarse utilizando las mismas métricas de rendimiento. Aunque los FET de Egan funcionan significativamente mejor por la mayoría de las métricas, el voltaje de avance de Egan FET ‘Body-Diodo 'es mayor que su contraparte MOSFET y puede ser un componente de pérdida significativo durante el tiempo muerto.
Descargue este documento técnico para obtener más información.
Leer más
Al enviar este formulario usted acepta Efficient Power Conversion Corporation (EPC) contactarte con correos electrónicos relacionados con marketing o por teléfono. Puede darse de baja en cualquier momento. Efficient Power Conversion Corporation (EPC) sitios web y las comunicaciones están sujetas a su Aviso de Privacidad.
Al solicitar este recurso, usted acepta nuestros términos de uso. Todos los datos son protegido por nuestro Aviso de Privacidad. Si tiene más preguntas, envíe un correo electrónico dataprotection@techpublishhub.com
Categorías relacionadas: Fuerza, Semiconductores
Más recursos de Efficient Power Conversion Corporation (EPC)
Optimización de tiempo muerto para la máxim...
En este documento blanco, EPC continúa nuestra exploración de los problemas de optimización y analice el impacto del tiempo muerto en la eficien...
Optimización del diseño de PCB
Este documento blanco explorará la optimización del diseño de PCB para un convertidor de Buck de punto de carga (POL) basado en Egan FET, compar...
Fets Egan® para el seguimiento de los sobre
Los transistores de nitruro de galio se pueden usar para mejorar la eficiencia de la conversión de DC-DC.
En este documento blanco, observam...
