Mejorar la eficiencia del convertidor de flyback DC-DC usando FET EGAN
Los diseñadores de convertidores DC-DC pueden alcanzar un bajo costo a bajas densidades de potencia mediante el uso de convertidores de retorno y transistores de nitruro de galio en modo de mejora. Para evaluar el rendimiento de los FET de EGAN en un convertidor de flyback, se crearon dos diseños de convertidores diferentes y se compararon con versiones equivalentes de MOSFET del mismo diseño.
Ambos convertidores fueron atacados en aplicaciones de dispositivo alimentado (PD) de baja potencia (POE) (POE). El primero de estos dos convertidores estaba dirigido a un tamaño pequeño El segundo diseño estaba dirigido a alta eficiencia.
Descargue este documento técnico para obtener más información.
Leer más
Al enviar este formulario usted acepta Efficient Power Conversion Corporation (EPC) contactarte con correos electrónicos relacionados con marketing o por teléfono. Puede darse de baja en cualquier momento. Efficient Power Conversion Corporation (EPC) sitios web y las comunicaciones están sujetas a su Aviso de Privacidad.
Al solicitar este recurso, usted acepta nuestros términos de uso. Todos los datos son protegido por nuestro Aviso de Privacidad. Si tiene más preguntas, envíe un correo electrónico dataprotection@techpublishhub.com
Categorías relacionadas: Fuerza
Más recursos de Efficient Power Conversion Corporation (EPC)
Descripción general de la tecnología de nit...
Durante más de tres décadas, la eficiencia y el costo de la gestión de energía mostraron una mejora constante a medida que las innovaciones en ...
Selección de EGAN® FET óptima en resistenc...
Los artículos publicados anteriormente mostraron que los FET de Egan se comportan en su mayor parte, al igual que los dispositivos de silicio y pu...
Optimización del diseño de PCB
Este documento blanco explorará la optimización del diseño de PCB para un convertidor de Buck de punto de carga (POL) basado en Egan FET, compar...
