Mejorar la eficiencia del convertidor de flyback DC-DC usando FET EGAN
Los diseñadores de convertidores DC-DC pueden alcanzar un bajo costo a bajas densidades de potencia mediante el uso de convertidores de retorno y transistores de nitruro de galio en modo de mejora. Para evaluar el rendimiento de los FET de EGAN en un convertidor de flyback, se crearon dos diseños de convertidores diferentes y se compararon con versiones equivalentes de MOSFET del mismo diseño.
Ambos convertidores fueron atacados en aplicaciones de dispositivo alimentado (PD) de baja potencia (POE) (POE). El primero de estos dos convertidores estaba dirigido a un tamaño pequeño El segundo diseño estaba dirigido a alta eficiencia.
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