Nuevos conceptos de diseño en circuitos de ultra bajo voltaje y nanopower con matrices Epad Mosfet
Esta introducción a Epad Mosfet describe una amplia selección de dispositivos con valores de voltaje de umbral de puerta establecidos con precisión, incluido el umbral cero hecho, el modo de mejora y el modo de agotamiento. Además, se presentan nuevos diseños de circuitos para ilustrar cómo estos dispositivos se pueden usar a un nivel práctico. Las breves descripciones del circuito presentadas están destinadas a estimular nuevas formas de pensar sobre el diseño del circuito y cómo se pueden implementar estos nuevos dispositivos para lograr resultados que fueran inalcanzables o altamente improbables.
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