Controladores FET EGAN® y consideraciones de diseño
Al considerar los requisitos de la unidad de puerta, los tres parámetros más importantes para los FET EGAN (1) son el voltaje máximo permitido de la puerta, (2) el voltaje del umbral de la puerta y (3) la caída de voltaje de diodo del cuerpo.
Los FET de Egan difieren de sus contrapartes de silicio debido a sus velocidades de conmutación significativamente más rápidas y, en consecuencia, tienen diferentes requisitos para la unidad de compuerta, el diseño y la gestión térmica que pueden ser interactivas.
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