Características eléctricas EGAN® FET
En este artículo, las características eléctricas básicas de los FET de Egan se explican y se comparan con MOSFET de silicio. Una buena comprensión de las similitudes y diferencias entre estas dos tecnologías es una base necesaria para comprender cuánto podemos mejorar los sistemas de conversión de energía existentes.
Cada semiconductor tiene un límite para sus capacidades. Estos límites generalmente se expresan de manera prominente en una hoja de datos del dispositivo y sirven como guía para los diseñadores sobre cómo crear diseños que no tienen problemas de calidad o confiabilidad ocultos.
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