Impacto de los parásitos en el rendimiento
Con mejoras en la cifra de cambio de mérito proporcionada por los FET de Egan, los parásitos de envasado y diseño de PCB son críticos para el alto rendimiento.
Este documento blanco estudiará el efecto de la inductancia parásita en el rendimiento para los convertidores de Buck de punto de carga (Pol) de MOSFET FET y MOSFET que funcionan a una frecuencia de conmutación de 1 MHz, un voltaje de entrada de 12 V, un voltaje de salida de 1.2 V, y una corriente de salida de hasta 20 A.
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