FET EGAN® en convertidores resonantes de alta frecuencia
En este documento blanco, la tecnología Egan FET se aplica en un convertidor resonante de alta frecuencia. Anteriormente, se abordaron las ventajas proporcionadas por los FET de Egan en las aplicaciones aisladas y no aisladas de cambio duro.
Este documento demostrará la capacidad del EGAN FET para mejorar la eficiencia y la densidad de potencia de salida en una aplicación de conmutación blanda, en comparación con lo que se puede lograr con los dispositivos MOSFET de potencia existentes. Se presenta un convertidor de bus intermedio de 48 V de alta frecuencia aislado (IBC) con una salida de 12 V que utiliza una topología resonante que funciona por encima de 1 MHz.
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