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Parada de campo de cuarta generación IGBT con una inmunidad de alto rendimiento e inmunidad de enganche mejorada

Publicado por: Fairchild Semiconductor

Cuando se le asigna la tarea de desarrollar los IGBT de trincheras de parada de campo de 4ª generación de 650 V (FS), los ingenieros de Fairchild tenían una barra alta que superar para desarrollar un sucesor de los exitosos IGBT de la tercera generación. Para cumplir con sus objetivos de diseño para lograr un mayor rendimiento sin sacrificar la confiabilidad o la robustez, el equipo de diseño adoptó algunos enfoques novedosos para optimizar la trinchera de ancho submicrónica y el diseño de células mesa de la tecnología FS de Fairchild. Al hacerlo, estiraron el límite ideal de silicio y pudieron lograr una notable reducción del 30% en el cambio de pérdida de energía como resultado. A pesar de la densidad de canal altamente mayor, su trabajo dio como resultado una inmunidad dinámica muy fuerte de enclavamiento, operando de forma segura sin falla bajo una conmutación de alta corriente de más de 3000 A/cm2 en condiciones de prueba severas. El siguiente documento se presentó en PCIM Europe 2015.
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Idioma: ENG
Type: Whitepaper Longitud: 5 páginas

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